汇睿光电技术（北京）有限公司
高阻硅透镜
除合成⾦刚⽯外，高电阻率硅是唯一适⽤于从近红外（1.2μm）到毫米波（1000μm）的极宽范围的各向同性晶体材料。与钻⽯相比，⾼阻硅的生长和加工相当便宜。此外，它可以被加工成相当大的尺⼨，允许基于此制造THz电⼦元件。对于太赫兹应用，我们提供高电阻率浮区硅（HRFZ-Si），其在太赫兹波段基本保持50-54％透射率，波长至1000μm（甚至长达3000，8000μm）
- 材料： 高阻硅
- 通光孔径： ≥90％
- 焦距误差： ±1％
- 直径误差（mm）： ±0.1mm
- 表面质量（S-D）： 80-50
- 产品定制： 可定制次半球、半球、超半球、子弹型、半月面型等透镜
- Parameters
- 材料： 高阻硅
- 通光孔径： ≥90％
- 焦距误差： ±1％
- 直径误差（mm）： ±0.1mm
- 表面质量（S-D）： 80-50
- 产品定制： 可定制次半球、半球、超半球、子弹型、半月面型等透镜
HRFZ-Si在THz范围内具有极低的损耗。 如下图所示，HRFZ-Si的THz波形类似于空气的THz波形。这表明高阻硅对太赫兹波几乎没有吸收。 硅的复介电常数取决于其导电率（即自由载流子浓度）。下图显示了在1THz 下具有不同杂质浓度的硅的介电常数。对于低杂质浓度，介电常数⼏乎是实际值，近似等于⾼频介电常数。随着杂质浓度水平的增加，介电常数的实部变为负值，并且其虚部逐渐增加到不能再被忽略。
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